晶振选取与计算 今天要做晶振的second source，把晶振焊上去后发现普遍比较低，要求是25M +/- 20ppm，就是说偏差不超过500Hz，但是测量三片，只有一片合格，其他两片均偏小几百 赫兹。查了数据手册得知实际频率和标称频率之间的关系： Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2); 而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容，通常大家取值 相等，它们对串联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL. 具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大， 我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。 原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有27pF,3 3pF，39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联（我认为是串联，串联电容等效并联电阻） ，则电容为15.95pF。电容焊好后，测量比原来大了200多赫兹，落在了设计范围内。 结论：晶振电路上的两个电容可以不相等，通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率 ，不过如果你测了几片晶振，频率有大有小，而且偏移较大，那么这个晶振就是不合格 的。 zongjie： 这篇就是说我们加的两个电容不仅可以用来调起振（通过改变C1\C2），还可以通过调节 C1\C2串联后的电容值来微调晶振频率 选择晶体的时候有三个参数最重要（标称频率、需求负载电容、容差） ……