半导体简化直接变频设计 (Eb/No)和其他噪声贡献余量。3G LTE标准要求至少 60dB的总 半导体简化直接变频设计 镜像抑制性能。此外，在指定解调器本振(LO)相位噪声时，还 必须考虑到宽带接收机中相互混频这一重要现象。LO相位噪 声会对附近的未滤波阻塞进行调制，向所需通道中增加 随着半导体工艺的不断进步，集成电路得以具备无线基础设施直接变 Pblocker_dBm - LO_Noise dBc/Hz噪声。 频接收机所需的性能，能够满足多模式通信系统的需求。 直接变频信号链（图 1）可以为 3G和 4G系统提供低成本的接 作者：Cecile Masse 收机解决方案。其架构没有其他接收机复杂，并且无需实中频 直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G) 采样架构中使用的多个表面声波(SAW……