全部
  • 全部
  • 标题
  • 简介
  • TAG
同步整流升压电路中整流管的衬底电位控制
推荐星级:
时间:2020-03-27
大小:185.41KB
阅读数:27
上传用户:wsu_w_hotmail.com
查看他发布的资源
下载次数
0
所需E币
3
资料介绍
在同步整流DC-DC升压电路中,电路从启动到稳定的过程中,功率整流PMOS管的源端电位有时大于漏端电位,有时小于漏端电位,而PMOS管的衬底电位一般应接在源/漏电位中较大者一端.针对这个问题提出了两种解决方法,通过比较分析,采用相对简单的电路很好地解决了以上问题. 同当整流升压电路巾整流管的衬底电位控制 曾子玉,邹雪城,孔令荣 (华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074) 摘 要:在同步整流DC―DC升压电路中,电路从启动到稳定的过程中,功率整流PMOS管的源端 电位有时大于漏端电位,有时小于漏端电位,而PMOS管的衬底电位一般应接在源/漏电位中较大者 一端。针对这个问题提出了两种解决方法,通过比较分析,采用相对简单的电路很好地解决了以上问 题。 关键词:同步整流升压电路衬底电位控制 当今的电源管理芯片正朝着高集成度、低功耗、抗 充电。电流的方向为yIN―y鲫一I,0Ur,显然有yIN>y哪>yOUr。 干扰的方向发展。而能源短缺问题的日益加剧使节能和 (2)正常开关工作阶段 提高效率成为电源管理领域永恒的话题。同步整流技术 在这个阶段,电路有两种工作状态: 的出现极大地满足了高集成度、低功耗和高效率的设计 ①充电阶段:即M1导通、M2截止,yzw通过Ml对电 要求。所谓同步整流,是指用通态电阻极低的功率 感L充电。电流的方向为yIN―ysW―GND,有y娜=0<yoUr。 MOSFET取代肖特基整流二极管。这不仅提高了集成 ②放电阶段:即M1截止、M2导通,电感L……
0
收藏 举报
相关评论 (下载后评价送E币 我要评论)
  • 没有更多评论了
  • 可能感兴趣
  • 关注本资料的网友还下载了
  • 技术白皮书