在同步整流DC-DC升压电路中,电路从启动到稳定的过程中,功率整流PMOS管的源端电位有时大于漏端电位,有时小于漏端电位,而PMOS管的衬底电位一般应接在源/漏电位中较大者一端.针对这个问题提出了两种解决方法,通过比较分析,采用相对简单的电路很好地解决了以上问题. 同当整流升压电路巾整流管的衬底电位控制 曾子玉，邹雪城，孔令荣 （华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉４３００７４） 摘 要：在同步整流ＤＣ―ＤＣ升压电路中，电路从启动到稳定的过程中，功率整流ＰＭＯＳ管的源端 电位有时大于漏端电位，有时小于漏端电位，而ＰＭＯＳ管的衬底电位一般应接在源／漏电位中较大者 一端。针对这个问题提出了两种解决方法，通过比较分析，采用相对简单的电路很好地解决了以上问 题。 关键词：同步整流升压电路衬底电位控制 当今的电源管理芯片正朝着高集成度、低功耗、抗 充电。电流的方向为ｙＩＮ―ｙ鲫一Ｉ，０Ｕｒ，显然有ｙＩＮ＞ｙ哪＞ｙＯＵｒ。 干扰的方向发展。而能源短缺问题的日益加剧使节能和 （２）正常开关工作阶段 提高效率成为电源管理领域永恒的话题。同步整流技术 在这个阶段，电路有两种工作状态： 的出现极大地满足了高集成度、低功耗和高效率的设计 ①充电阶段：即Ｍ１导通、Ｍ２截止，ｙｚｗ通过Ｍｌ对电 要求。所谓同步整流，是指用通态电阻极低的功率 感Ｌ充电。电流的方向为ｙＩＮ―ｙｓＷ―ＧＮＤ，有ｙ娜＝０＜ｙｏＵｒ。 ＭＯＳＦＥＴ取代肖特基整流二极管。这不仅提高了集成 ②放电阶段：即Ｍ１截止、Ｍ２导通，电感Ｌ……