MOSFET驱动AN799 MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计 作者： Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。 简介 当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存，而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸， 对如何将 MOSFET 驱动器与 MOSFET 进行匹配进 行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。 与任何设计决策一样，在为您设计中的 MOSFET 选择 合适的 MOSFET 驱动器时，需要考虑几个变量。需要 考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态 电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影 响着封装的决定和驱动器的选择。 本应用笔记将详细讨论与 MOSFET 栅极电荷和工作频 率相关的 MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据 MOSFET 所需的导通和截止时间将 MOSFET 驱动器的 电流驱动能力与 MOSFET 栅极电荷相匹配。 Microchip 提供许多不同种类的 MOSFET 驱动器，它们 采用不同的封装，因此可以使设计者为应用中的 MOSFET 选择最合适的 MOSFET 驱动器。 公式 2： P Q = ( I QH × D + I QL × (1 - D ) ) × V DD 其中： IQH = 驱动器输入为高电平状态 的静态电流 D = 开关波形的占空比去 IQL = 驱动器输入为低电平状态 的静态电流 3. MOSFET 驱动器交越导通（穿通） 电流产生的功 耗。 公式 3： P S = CC × F × V DD 其中： CC = 交越常数 （A*sec） 从 上 述 公 式 推 导 得 出，三 部 分 功 耗 中 只 有 一 个 与 MOSFET 栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常……