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WCDMA基站的直接上变频方案具有低噪声和理想的ACPR特性
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类别: 消费电子
时间:2020-01-13
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资料介绍
WCDMA基站的直接上变频方案具有低噪声和理想的ACPR特性通信与计算机 ■   德州仪器公司    Heinz-Peter Beckemeyer W C D M A 基站的直接上变频方案 具有低噪声和理想的 ACPR  特性 直接上变频是实现发射机架构 的最经济有效的方法, 也是基站设 计中最重要的规范。 I/Q 调制器的 载噪比是 WCDMA 技术中最关键的 参数。 TRF3702 I/Q 调制器在保持 优异的 ACPR(邻信道功率比)性能 的情况下, 提供带有容限的载噪性 能。 本文将详细介绍单载波及多载 波 WCDMA 基站中,对模拟正交调 制器载噪比的相关技术要求。 在发射机系统中采用直接上变 频架构, 可以降低系统成本, 因为 它可以降低系统复杂程度与组件 数。 图 1 为 WCDMA 直接上变频架 构图。 与双变频发射机不同, 直接 上变频无需中频信号发生器、 中频 合成器 (PLL/VCO)、 中频-射频混 频器以及 SAW 滤波器。 WCDMA 技术中对 I/Q 调制器 性能的主要要求是对载波偏移 50 MHz 及 60 MHz 下的 ACPR 及噪声 性能的要求, 其中对噪声性能的要 求最为严格。 该噪声性能需求由杂 散发射的限制决定(不能超过此限 制)。 杂散发射限制 杂散发射限制决定了载波的最 大偏移量。 最重要的相关参数是偏 移量为 50 MHz (-25 dBm) 及 60 MHz (-30 dBm)  时的杂散发射。 此时的测 量带宽为 1 MHz。 图2 是偏移量为 60 MHz 的实例,单载波工作于最 差的状况( 载波位于上限频率 图 1  WCDMA 直接上变频发射机的 TX结构图 2167.5 MHz 或下限频率 2112.5 MHz)。在此例中, 偏移 60 MHz 的 频率(即 2172.5 MHz  及 2107.5 MHz) 恰好处于 Tx 频带之外, 此时, 双 工滤波器不会产……
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