集成CMOS限幅放大器的研究第 32 卷 　 第4期 　 2004 年 11 月 河南师范大学学报 ( 自然科学版) Journal of Henan Norm al U niversity ( N at ural Science) V ol . 32 　No. 4 Nov . 2004 　 　　 文章编号 :1000 - 2367 ( 2004) 04 - 0037 - 04 集成 CMOS 限幅放大器的研究 李富华1 ,2 ,王长清1 ,伍 　 博1 ① ( 1. 河南师范大学 物理与信息工程学院 ,河南 新乡 453007 ;2. 苏州大学 电子信息学院 ,江苏 苏州 215021) 摘　 要 : 提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑 ,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高 速放大器进行了优化设计 . 此外 ,基于中芯国际集成电路公司提供的 0. 18 μm 器件模型 、 共面线的分布参数模型 ,文 中分别研究了共面线的频变分布参数 、 负载电阻以及 n 沟道 MOSFET 的栅宽对放大器增益 、 带宽的影响 ,为高速限 幅放大器的优化设计提供了理论指导和设计依据 . 关键词 : 高速放大器 ;0. 18 μm CMOS 工艺 ;低通网络 ;CMOS 集成电路 中图分类号 : TN432 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 文献标识码 : A 近几年随着互联网的飞速发展 ,光纤网已经成为远距离 、 高速大容量数据传输的主要载体 ,随着传输速 率的不断提高 ,对高速光接收机提出了更高的要求 . 为了满足 OC - 96 、 OC - 192 等高速数据传输系统的需 要 ,光接收机前端通常采用价格昂贵的 GaAs 、 InP 等高电子迁移率材料制作的 HB T 、 HEM T 等晶体管实现 μ μ 宽带 、 高增益放大 . 随着深亚微米技术的发展 ,0. 18 m……