怎样正确使用MOS 集成电路 怎样正确使用MOS 集成电路 　　所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的 保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失 效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端 的完全破坏以至于与电源端 VDD GND 短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者 是性能的退化，那就更难察觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏 。 　　由于不可避免的短时间操作引起的高静电电压放电现像，例如人在打腊地板上走动 时会引起高达 4KV - 15KV 的静电高压，此高压与环境湿度和表面的条件有关，因而在使用 CMOS 、NMOS 器件时必须遵守下列预防准则： 1 不要超过手册上所列出的极限工作条件的限制。     2 器件上所有空闲的输入端必须接 VDD 或 VSS，并且要接触良好。     3 所有低阻抗设备（例如脉冲信号发生器等）在接到 CMOS 或 NMOS 集成电路输入端以前必然让器件先接通电源，同样设备与器件断开后器件才能断开电源 。     4 包含有 CMOS 和 NMOS 集成电路的印刷电路板仅仅是一个器件的延伸，同样需要遵守操作准则。从印刷电路板 边缘的接插件直接联线到器件也能引起器件损伤，必须避免一般的塑料包装，印刷电路 板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成电路的地址输入端或输出端应当串联一个电阻，由于这些串联电阻和输入电容的时 间常数增加了延……