1设计与开发 １．８ＧＨｚ　０．３５ ｍ　ＣＭＯＳ 低噪声 放大器的实现 ＊ 马晓民，王文骐 （上海大学通信学院通信与信息工程系，上海　 ２ ０ ０ ０ ７ ２ ） 摘要：介绍了一种频率为 １．８ＧＨｚ 的低噪声放大器（ＬＮＡ）的设计方案，采用 ＴＳＭＣ　０．３５ μ ｍ　ＣＭＯＳ 工艺实现， 增益为 ２ ５ ｄ Ｂ ，噪声系数 ２ ． ５ ６ ｄ Ｂ ，功耗≤ １ ０ ｍ Ｗ ，Ｉ Ｉ Ｐ ３ 为 － ２ ５ ｄ Ｂ 或 ５ ｄ Ｂ ｍ 。 关 键 词 ： 低 噪 声 放 大 器；Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ ； 螺 旋 电 感 中图分类号 ： ＴＮ７２２．３　　 　　　　文献标识码 ： Ａ　　　　　 文章编号 ： １００３－３５３Ｘ（２００２）０８－００４６－０４ Ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ　ｏｆ　１．８ＧＨｚ　ＬＮＡ　ｉｎ　０．３５ ｍ 　 ＣＭＯＳ ＭＡ　Ｘｉａｏ－ｍｉｎ，　ＷＡＮＧ　Ｗｅｎ－ｑｉ （Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　 ２０００７２，　 Ｃｈｉｎａ） Ａ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ： 　Ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ　ｐｒｅｓｅｎｔｓ　ｔｈｅ　ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ　ｏｆ　１．８ＧＨｚ　ＬＮＡ　ｉｎ　ＴＳＭＣ　０．３５ｍ　ＣＭＯＳ． Ｔｈｅ　ｇａｉｎ　ｉｓ　２５ｄＢ， ｎｏｉｓｅ　ｆｉｇｕｒｅ　ｉｓ　２．５６ｄＢ， ｐｏｗｅｒ　ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ　ｉｓ　ｌｅｓｓ　ｔｈａｎ　ｏｒ　ｅｑｕａｌ　ｔｏ　１０ｍＷ， ＩＩＰ３　ｉｓ　－２５ｄＢ　ｏｒ　５ｄＢｍ． Ｋ ｅ ｙ 　 　 ｗ ｏ ｒ ｄ ｓ ： 　ｌｏｗ　ｎｏｉｓｅ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒ ； ＣＭＯＳ ； ｓｐｉｒａｌ　ｉｎｄｕｃｔｏｒ １ 引言 近年来，不同频段的无线数据和语……