射频宽带、低噪声单片放大器设计微 波 学 报 第 21 卷增刊 Vol . 21 Supp lement JOURNAL OF M ICROWAVES 2005 年 4 月 Ap r . 2005
射频宽带 、 低噪声单片放大器设计
孟令琴 于文震 费元春
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( 1. 南京电子技术研究所 , 南京 210013; 2. 北京理工大学电子工程系 , 北京 100081)
摘 要: 本文介绍一种宽带 、 低相位噪声射频集成放大器设计 ,采用负反馈频率补偿技术 , 通过优化设计反馈 网络电阻及电容值 ,有效地展宽了工作频带 ; 采用了封装电容做级间匹配电容 , 提高了电路模型精度增加了流片的 μm SiGe B iCMOS工艺上 可实现性 ; 通过级间匹配电容 ,有效地补偿了带内平坦度 。电路结构简单 ,性能优良 ,在 0. 8 实现的放大器 3dB 带宽 0 ～7. 5GHz,将广泛应用于光纤通信 、 软件无线电 、 雷达及通信一体化接收前端 。 关键词 : 负反馈 , 频率补偿技术 , 电路模型
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( 1. N an jing R esea rch Instisu te of E lectron ics Technology, N an jing 210013, Ch ina;
2. B eijing Instu tu te of Technology, B eijng 100081, Ch ina ) Abstract: In the paper it is intr……
