ESD防护四、电子元器件ESD灵敏度测试分类的三个模型及有关标准 静电放电灵敏度（ESDS）是指会导致元器件失效 的静电放电电平。 1、三个模型及有关标准 （1）人体模型（HBM），MIL-STD-883D， （GJB548A）方法3015.7 EOS/ESD-S5.1-1993 （2）机器模型（MM），ESD-S5.2-1996 （3）带电器件模型（CDM）， 接触式――摩擦起电模型 非接触式――电场感应模型（FIM） ESD S5.3-1995 带插座模型 ESD DS5-3.1-1996 无插座模型 JESD 22-C101 场感应CDM微电子器件耐压测试方式 1 2、人体模型（HBM） （1）人体是最主要的静电源。 HBM 模型主要是模拟人体所带静电对微电子器 件 ESD而可能产生的损伤。 （2）模型的核心是将人体用100pF电容和1.5kΩ 电阻的RC放电回路来模拟。 2 （3） 人体模型（HBM）的有关标准 标准对电流波形 （电能量），引线端连 接方式，放电次数等试 验方法都有详细规定。 目前以人体模型来测试静电敏感器件的静电放电 灵敏度（ESDS）的标准有两种： 一是军标，美国是MIL-STD-883D，方法3015.7； 图1 HBM模型中测试器件ESD灵敏度的等效电路 这是一个较成熟的、最常用的模型。 中国是GJB 548A-96A，方法3015A。 另一个是国际抗静电学会的EOS/ESD-S5.1-1993。 两者的具体分类标准见表2。 3 4 表2 HBM模型下两种标准的静电灵敏器件的ESDS分 类 名称 军标MILSTD883 方法3015 EOS/ESD-S5.1 表3 序号 1 2 3 4 5 6 7 5 各类微电子器件典型的静电放灵敏度范围 类型 V MOS H MOS EPROM GaAsFET MOSFET JFET C MOS/N……