NAND和NOR-FLASH详解 FLASH类型 1. NOR和NAND是现在市场上两种主 要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝 公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升 级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 | | |[p| |ic| |] | 　　许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况 下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度 的理想解决方案。 　　NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NO R的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速 度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且 写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 　　性能比较 　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入 操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦 除前先要将目标块内所有的位都写为0。 　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5 s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距……