NAND和NOR | | 第1页：原理篇 闪存主要由外壳、PCB板、USB主控芯片和Flash存储芯片四部分构成。闪存名称的由来主 要是因为其存储介质是Flash Memory。Flash闪存是非易失存储器（所谓非易失性即掉电仍旧能保存信息的特性），可 以对称为块的存储器单元“块”进行擦写和再编程。闪存内部不存在存储控制器，我们可 以简单地认为某容量（比如32MB）内部分成一个个小方块似的存储空间，每个空间内都 能存储一定量大小的信息。任何Flash闪存的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行， 所以，在进行写入操作之前必须先执行擦除操作。有多种技术能实现半导体存储，其中 主要有NAND（与非）和NOR（异或）两种。两者容量/单位成本！其次是速度！都有很大 不同，因此应用场合有所不同。我们用的“大容量”闪盘基本都是NAND型的， 先来讲讲速度 NOR型闪存的块大小为64～128KB，而NAND型闪存块的大小为8～32KB，三星闪存块头大小 就是16KB，整个32MB容量是由2000个这样大小的存储空间组成。NAND闪存执行擦除操作 是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位（bit）都写为0。 NAND型的单元排列是串行的，而NOR型则是并行的。在NAND型闪存中，存贮单元被分成页 ，由页组成块。根据容量不同，块和页的大小有所不同，而组成块的页的数量也会不同 。如8MB的模块，页大小为（512+16）Byte、块大小为（8K+256）Byte；而2MB模块，页 大小为（256+8）Byte、块大小为（4K+128）Byte。 NAND型存贮单元的读写是以块和页为单位来进行的，像硬盘多过像传统的内存。实际上 ，N……