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碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题
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类别: 电源/功率
时间:2019-12-11
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资料介绍
借助于微电子技术的长足发展,以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管(功率 MOS)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。
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