功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣，因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果，着重讨论了功率VDMOS 在高温大电压的工作环境下，关键电学参数的漂移及其失效机理，击穿特性的异常和改善办法，同时对键合及金属化过程中引发的失效也做了简单论述。
