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基于LDMOS晶体管器件进行F类功率放大器设计
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时间:2019-12-11
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资料介绍
本文设计了一种工作在 1.8GHz 的 F 类功率放大器,使用 LDMOS 晶体管作为有源 器件以便产生高功率和高效率。F 类放大器通过对不同的谐波进行调谐来峰化漏极电压和电 流的波形,漏极电压波形包含一个或更多的奇次谐波可近似为方波,同时电流包含偶次谐波 可近似为半个正弦波,来同时做到高输出功率和高效率。仿真证明该放大器可以达到 12W以上的输出并且效率在 70%以上超过同等输出功率的 AB 类放大器。
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