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晶台光耦KL3064可控硅光耦(零交叉)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3064系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的零交叉光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于与逻辑系统到110-380伏线路的设计接口,如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和消

晶台光耦 KL3064 可控硅光耦零交叉产品规格书
晶台光耦KL3062可控硅光耦(零交叉)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL3062系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的零交叉光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于与逻辑系统到110-380伏线路的设计接口,如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和消

晶台光耦 KL3062 可控硅光耦零交叉产品规格书
晶台光耦KL3041可控硅光耦产品规格书

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KL3041系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的零交叉光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于与逻辑系统到110-380伏线路的设计接口,如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和消

晶台光耦 KL3041 可控硅产品规格书
晶台光耦KL3042可控硅光耦产品规格书

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KL3042系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的零交叉光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于与逻辑系统到110-380伏线路的设计接口,如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和消

晶台光耦 KL3042 可控硅光耦产品规格书
晶台光耦KL3043可控硅光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3043系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的零交叉光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于与逻辑系统到110-380伏线路的设计接口,如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和消

晶台光耦 KL3043 可控硅光耦产品规格书
GB1094.1-1996电力变压器第1部分总则

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

GB1094.1-1996电力变压器第1部分总则
TD-SCDMA系统部署

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时间：2019.06.03

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TD-SCDMA系统部署
EGPRS编码专题研究

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时间：2019.06.03

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1、编码方式研究工作概述开通EGPRS功能后，要体现EGPRS的速率优势就必须得提升其高的编码方式所占的比例，要提高较高的编码方式所占的比例除了保证足够的资源和较好的无线环境外，合理的编码方式相关参数
KL3H7L SSOP4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3H7L型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中.产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7L SSOP4 晶体管光耦产品规格书 3H7L
SCH_Schematic1【拆解老五家的垃圾电源（riesba）进行分析】

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时间：2023.10.13

上传者：面包板社区管理员

SCH_Schematic1【拆解老五家的垃圾电源（riesba）进行分析】原题地址：https://mbb.eet-china.com/forum/topic/134305_1_1.ht
晶台光耦KL2201高速光耦产品规格书

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上传者：晶台光耦

KL2201由一个红外发射二极管和一个高速集成光电检测器逻辑门组成。它采用8引脚DIP封装，并提供SMD选项。KL2200的检测器具有一个三态输出级，并具有一个带滞后的检测器阈值。三态输出无需上拉电阻

晶台光耦 KL2201 高速光耦产品规格书
晶台光耦KL2200高速光耦产品规格书

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KL2200由一个红外发射二极管和一个高速集成光电检测器逻辑门组成。它采用8引脚DIP封装，并提供SMD选项。KL2200的检测器具有一个三态输出级，并具有一个带滞后的检测器阈值。三态输出无需上拉电阻

晶台光耦 KL2200 高速光耦产品规格书
晶台光耦KL2202高速光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL2202由一个红外发射二极管和一个高速集成光电检测器逻辑门组成。它采用8引脚DIP封装，并提供SMD选项。KL2200的检测器具有一个三态输出级，并具有一个带滞后的检测器阈值。三态输出无需上拉电阻

晶台光耦 KL2202 高速光耦产品规格书
SKYLAB工业级，小尺寸，高授时精度北斗授时模块SKG09DT

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时间：2020.03.25

上传者：帘卷笙声寂

SKG09DT是一款高性能GNSS功能超级一体化解决方案计时模块,具有高灵敏度、超低功耗和小体积特性。射频信号通过天线输入道模块,像位置、速度和时间这些串行信息通过nmea协议或自定义协议完整的记录下

SKYLAB 工业级小尺寸高授时精度北斗授时模块 SKG09DT
碳化硅MOS应用于双向DCDC（LLC，移相全桥，DAB）

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时间：2022.01.27

上传者：Eways-SIC

碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

双向 dcdc llc 移相全桥 dab
FCW车辆前向防撞预警系统

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时间：2019.12.16

上传者：Wayking渭成

FCW车辆前向防撞预警系统

FCW 车辆前向防撞预警
100v的过流保护Efuse介绍

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时间：2025.04.21

上传者：王萌

三附件分别是100v的带有过流保护的高边E-fuse和100v的理想二极管控制器

100V 过流保护 eFuse 介绍