电源/功率资料下载_第44页-面包板社区

深亚微米CMOS有源图像传感器技术

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时间：2022.03.09

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深亚微米CMOS有源图像传感器技术

深亚微米 cmos 有源图像传感器技术
sic驱动

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时间：2022.03.02

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科锐sic驱动板详细说明

sic 驱动
双向DC-DC变换电路设计

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时间：2022.02.28

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双向DC-DC变换电路设计

双向 dcdc 变换电路设计
一款LLC谐振半桥式功率转换器

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时间：2022.02.11

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TI）设计一款LLC谐振半桥式功率转换器

一款 llc 谐振半桥式功率转换器
基于LM2576的高可靠MCU电源设计

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时间：2022.01.27

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基于LM2576的高可靠MCU电源设计

基于 lm2576 高可 mcu 电源设计
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

sic 碳化硅 mos pd 快充
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
碳化硅MOS应用于双向DCDC（LLC，移相全桥，DAB）

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时间：2022.01.27

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碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

双向 dcdc llc 移相全桥 dab
碳化硅MOS应用车载OBC,动力电池充电模块

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时间：2022.02.16

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

碳化硅 mos 车载 OBC 动力电池充电模块
SIC MOS应用充电机DC-DC总成

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。

sic mos 充电机DCDC总成
MC34063A组成的升压式开关电源电路图

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MC34063A组成的升压式开关电源电路图

mc34063a 组成升压开关电源电路图
projects-crazyflie-hardware-crazyflie_control

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CS5092S高耐压，5V输入，0.85A充电电流，双节锂电升压充电管理电路

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时间：2022.01.13

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CS5092S高耐压，5V输入，0.85A充电电流，双节锂电升压充电管理电路

CS5092S
1.5V~30V 3A可调式开关电源电路原理图+PCB资料

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1.5V~30V3A可调式开关电源电路原理图+PCB资料

15V30V 3a 可调开关电源电路原理图 pcb 资料
CS5517T低功耗600mA输出，DC-DC升降压电压调整器，1.8-5V输入，1.2-5V输出。

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时间：2022.01.07

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CS5517T低功耗600mA输出，DC-DC升降压电压调整器，1.8-5V输入，1.2-5V输出。

CS5517T 升降压
CS9016C替代TI德州仪器的DRV8833双通道H桥电机驱动芯片，东芝TB6612FNC

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时间：2022.01.07

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CS9016C替代TI德州仪器的DRV8833双通道H桥电机驱动芯片，东芝TB6612FNC

CS9016C DRV8833 电机驱动芯片 TB6612FNC