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PCB布线技巧详细教程
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大小:1.63MB
时间:2019.12.16
上传者:微风DS
在当今激烈竞争的电池供电市场中,由于成本指标限制,设计人员常常使用双面板。尽管多层板(4层、6层及8层)方案在尺寸、噪声和性能方面具有明显优势,成本压力却促使工程师们重新考虑其布线策略,采用双面板。在
pcb
PCB板框图要求
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大小:137.12KB
时间:2019.12.13
上传者:978461154_qq
PCB板框应单独出来,方便PCB工程师在导入板框时能正确区分结构需要开孔,开槽的位置。PCB限制区标示,五金件接触的零限高区域与非五金件接触的零限高区域应用不同的方式标示清楚;不同高度高区域应有界线区
pcb
PCB版图设计之收音机电路的PCB版图设计
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大小:1.91MB
时间:2019.12.16
上传者:微风DS
本文主要讲了收音机电路原理图的绘制,收音机电路板顶层元件布放。
pcb
PCB的相关设计
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大小:259.95KB
时间:2019.12.16
上传者:rdg1993
本文主要讲了相关设计参数详解:一、线路,二、via过孔,三、PAD焊板,四、防焊。
pcb
PLC模拟输入滤波方法
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大小:13.64KB
时间:2019.12.16
上传者:微风DS
本文主要讲了有关PLC模拟输入滤波的方法:限幅滤波法,中位值滤波法,算术平均滤波法,递推平均滤波法等内容。
plc
滤波
PLC简介及工作原理
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大小:108.5KB
时间:2019.12.16
上传者:微风DS
本文主要讲了PLC的有关内容:PLC的特点,PLC的分类,PLC的工作原理等内容。
plc
PWM 信号输入智能监控隔离变送器
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大小:903.53KB
时间:2019.12.16
上传者:2iot
目前在工业现场、控制中广泛应用。内部集成工艺结构及新技术隔离措施使该器件能达到:辅助电源、信号输入与输出3000VDC三隔离。并且能满足工业级宽温度、潮湿、震动环境要求。智能化设计的新型隔离变送器系列
pwm
PWM-PFM混合控制LCC谐振变换器研究
所需E币:4
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大小:648.77KB
时间:2019.12.16
上传者:givh79_163.com
摘要:输入电压和负载宽范围变化时,变频控制LCC谐振变换器的开关频率变化范围宽,而移相控制LCC谐振变换器难以实现宽范围零电压关断。为了在较窄开关频率范围内实现LCC谐振变换器的宽范围软开关,该文提出
开关电源
pwm
llc
电源模块
PWM整流器及其控制.part1
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大小:7MB
时间:2019.12.17
上传者:givh79_163.com
本文介绍PWM整流器相关知识,本书共两卷,这是第一卷。
pwm
PWM整流器及其控制.part2
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大小:1.34MB
时间:2019.12.17
上传者:16245458_qq.com
本文介绍PWM整流器相关知识,本书共两卷,这是第二卷。
pwm
PWM模块使用
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大小:20.38KB
时间:2019.12.13
上传者:978461154_qq
关于飞思卡尔单片机,大致用了大半年了,总结下关于一些PWM的模块应用,飞思卡尔单片机的一个麻烦的在于寄存器很多,仅是PWM模块就有36个寄存器,总共是十个寄存器。所以使用好飞思卡尔单片机就要学习下每一
pwm
p型SiC欧姆接触的研究进展
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大小:3.22MB
时间:2019.12.16
上传者:wsu_w_hotmail.com
本文主要讲了p型SiC欧姆接触的研究进展。
三极管
RS-485 选型及应用指南
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大小:626.45KB
时间:2019.12.16
上传者:givh79_163.com
通常的微处理器都集成有1路或多路硬件UART通道,可以非常方便地实现串行通讯。在工业控制、电力通讯、智能仪表等领域中,也常常使用简便易用的串行通讯方式作为数据交换的手段。
数字电源
通信电源
STM32F选型指南
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大小:2.15MB
时间:2019.12.16
上传者:238112554_qq
STM32系列32位闪存微控制器基于突破性的ARMCortex-M3内核,这是一款专为嵌入式应用而开发的内核。STM32系列产品得益于Cortex-M3在架构上进行的多项改进,包括提升性能的同时又提高
stm32
SVG与SVC
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时间:2019.12.13
上传者:2iot
本文主要讲了SVG与SVC:组成,分类,控制分类,SVC等内容。
SVC
TL431的基本应用电路和几种不常见接法
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大小:85.26KB
时间:2019.12.16
上传者:givh79_163.com
本文主要讲了TL431的基本应用电路和几种不常见接法。
稳压电源
稳压器
TPS543X高输出电流的脉宽调制转换器
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大小:1.07MB
时间:2019.12.16
上传者:wsu_w_hotmail.com
TPS543X是一个高输出电流的脉宽调制转换器,集成了一个低电阻,高侧N沟道MOSFET。具有所列特征的基板上包括一个高性能电压误差放大器,在瞬态条件下提供严格的电压调节精度;一个防止启动的欠压锁定电
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