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  • FDD4141 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    FDD4141是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.
    FDD4141 VBsemi mosfet datasheet
  • FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管，其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管，具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V，最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻（RD
    FDC5614P VBsemi mosfet datasheet
  • DMP2215L-7 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    DMP2215L-7是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m
    DMP2215L7 VBsemi mosfet datasheet
  • APM4015PUC-TRL VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    APM4015PUC-TRL是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为1
    APM4015PUCTRL VBsemi mosfet datasheet
  • APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低导通电阻，
    APM2305AC VBsemi mosfet datasheet
  • AP2625GY VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了AP2625GY型号的MOS管，其丝印型号为VB4290。这款MOS管是双P沟道晶体管，具有优异的性能参数。最大工作电压为-20V，最大工作电流为-4A。导通状态下的导通电阻（RDS
    AP2625GY VBsemi mosfet datasheet
  • AP2310GN VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(
    AP2310GN VBsemi mosfet datasheet
  • AP2306AGN VBssemi Datasheet
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    时间：2023.10.09
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号AP2306AGN，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS
    AP2306AGN VBssemi datasheet
  • AP2301N VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在
    AP2301N VBsemi mosfet datasheet
  • AOD4185 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：257.46KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AOD4185是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.
    AOD4185 VBsemi mosfet datasheet
  • AOD603A VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AOD603A（VBE5638）是一款N+P沟道MOS型晶体管，采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力，以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)
    AOD603A VBsemi mosfet datasheet
  • AOD482 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AOD482是由VBsemi品牌推出的一款MOS管产品，丝印型号为VBE1104N。该产品属于N沟道类型，可承受最高100V的电压和40A的电流。其RDS(ON)参数为30mΩ（在10V工作电压下）和
    AOD482 VBsemi mosfet datasheet
  • AOD403 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了丝印型号为VBE2309的MOS管型号AOD403。这款MOS管属于P沟道类型，适用于广泛的电路应用。它具有出色的性能参数，包括最大承受电压为-30V，最大工作电流为-60A。在标准
    AOD403 VBsemi mosfet datasheet
  • AO6800 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了AO6800型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）
    AO6800 VBsemi mosfet datasheet
  • AO4421 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AO4421（VBA2658）是VBsemi一种P沟道MOS型晶体管，封装为SOP8。它的产品参数包括：最大耐压为-60V，最大漏极电流为-6A，漏源电阻RDS(ON)为50mΩ（在10V时）和61m
    AO4421 VBsemi mosfet datasheet
  • AO3415A VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AO3415A是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在
    AO3415A VBsemi mosfet datasheet
  • AO3401 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电阻为
    ao3401 VBsemi mosfet datasheet
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