电力电子技术日新月异，宽禁带半导体技术也越来越受欢迎。由于能在更高温度下工作，并支持更高的开关电压和开关频率，宽禁带半导体正逐步取代传统的硅基解决方案，为未来的电子技术带来一场真正的革命。本书将聚焦宽禁带半导体技术，涵盖碳化硅晶圆生产、宽禁带半导体研究和制造、宽禁带器件测试等话题，并探讨与之相关的电流感应技术集成和栅极驱动器优化设计。

本期主要内容

聚焦 8英寸碳化硅扩产竞速，产能过剩拐点即将出现？ 利用CMP降低SiC晶圆生产成本并提高效率 宽禁带材料推动未来技术的半导体研究与制造 应对宽禁带器件测试的挑战 设计新技术 宽禁带半导体技术综述 将电流感应集成到宽禁带电源转换器的挑战 通过优化栅极驱动器充分提高SiC MOSFET性能