克隆芯片(抄芯片)设计流程
◆ 腐蚀
-塑料封装外壳的腐蚀,可看到第一层金属层
一般采用98%的硫酸加热蒸煮
-金属铝层的腐蚀,可看到多晶和有源区
采用热磷酸
-有多层金属时,去除一层金属后需要用氢氟酸去二氧化硅
-去多晶硅,染色看显现 P阱和N阱
-其它细节处理,纵向结构解剖(SEM扫描电镜/TEM透射电镜或掺杂浓度曲线测试,一般需要IC解剖不作,都是标准工艺,分立器件一般需要做)
◆ 照相拼图
-每腐蚀一层,分区域照相
-每一层金属拼合图,每一层多晶拼合图,有源区拼合图
-把拼合图处理成软件可识别的图像文件
◆ 提取、整理电路
-数字电路需要归并同类图形,例如与非门、或非门、触发器等,同样的图形不要分析多次
-提出的电路用电路绘制软件绘出,按照易于理解的电路布置,使其他人员也能看出你提取电路的功能
-提取电路的速度完全由提图人员经验水平确定
-各组件连接起来,如果不整理电路是看不出各模块的连接及功能的
◆ 分析电路
-提取出的电路整理成电路图,并输入几何参数(MOS为宽长比)
-通过你的分析,电路功能明确,电路连接无误
◆ 仿真验证,电路调整
-对电路进行功能仿真验证
-模拟电路一般采用Hspice、Cadence等工具,小规模数字电路采用Cadence,Hsim等工具
-根据新的工艺调整电路
-调整后进行验证
◆ 版图绘制验证及后仿真
-根据新的工艺文件绘制版图
-版图DRC、LVS,寄生参数提取(Dracula,Assura,Calibre等工具)
-提取的网表作仿真验证,并与前仿结果对比
-版图导出GDS文件,Tape out
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