原创 19亿美元!摄像头厂商豪威科技被中国收入囊中

2015-5-6 15:02 1968 24 25 分类: 消费电子

文章来源:天极网

据路透社消息,北京时间5月1日凌晨,全球著名的摄像头芯片生产厂商豪威科技(OmniVision Technologies)已经同意被中国财团以约19亿美元的现金价格收购。其中收购OV的有三家中国公司,包括华创投资、中信资本和金石投资。这三家公司将为这笔交易支付每股29.75美元的收购费,预计交易将在2016财务年度第三或第四季度完成。

OV之所以同意被收购,主要是受其业绩下滑影响。据其最新一季季报(2014年11月到2015年1月份)显示:销售额为2.923亿美元,环比上季度的3.94亿美元下降25.8%,同比去年的3.52亿美元下降17.0%;本季度净利润为$14M,环比上季度的$28M元下降50.0%,同比去年的$30.6M下降54.2%。可以说,OV的销售额和利润都已经进入快速下降期。

那么,这家曾经苹果公司的供应商,美国昔日Sensor巨头,为何会日益式微?

当然,失去苹果的订单对OV的业绩肯定带来了巨大了打击,不过这只是一方面。而最主要的原因在于OV在高、低端市场均受到竞争对手的蚕食。去年,OV曾推出从高像素和低像素全面出击的策略,但经过一年时间的考验,该策略并没有让其业绩有所好转,反而被竞争对手去了市场份额。

高端市场,遭到索尼、三星排挤

在2011年之前,OV无疑是图像Sensor市场的老大,但随后几年逐渐被索尼和三星超越。据市调机构Yole Developpement统计,索尼去年在CMOS市场抢取豪夺,共拿下27%的市占率,继续傲视群雄。三星也当仁不让,奋力抢下19%的份额,排名超越了OV成为第二,而OV已经屈居第三。

早在2010年,索尼的图像Sensor业务还默默无闻,市场份额仅为7%排行老六。但随后几年,索尼手机、电视等消费电子业务下滑后,把图像Sensor作为其重振集团的主要业务,开始有了跨越式的发展。2012年增长非常迅猛,份额达到了21.4%。而在2013年,索尼在中国市场大获成功,其中13M约有70%的占有率,8M也有约3成的份额。而从去年下半年来,索尼的Sensor甚至出现了供不应求的局面,包括IMX214、IMX135、IMX179、IMX219等开始缺货,特别是13M的高端芯片IMX214更是一芯难求。从这些来看,索尼无疑已经坐稳了第一把交椅。

而三星的狼子野心同样不小,特别是其在手机业务下滑后,三星也开始着力发展供应链相关业务,包括芯片、屏幕、摄像头等。其中在图像Sensor上也是奋起直追,从2011年开始,三星和OV两家份额不相上下,处于胶着状态,而到了2013年,三星以0.7%微弱优势首次领先OV。据了解,三星去年在中国市场的也取得了不错的成绩,与前年相比有40%的增长,全年CIS销售超过330M 美元。特别一些带ISOCELL及PDAF功能等的产品,打进了市场需求相对紧张和供应空缺的13M市场,均有不少国内手机品牌厂商采用。

低端市场,遭中韩厂商蚕食

OmniVision Technologies在高端市场遭到了索尼和三星排挤,而在低端市场特别是在5M以下市场,也被Hynix、格科微、思比科、奇景等中韩厂商的蚕食。

Hynix是在2007年进入该领域,当时与CMOS图像传感器开发商SiliconFile Technologies公司达成合作伙伴协议,利用SiliconFile的设计制造和销售CMOS图像传感器产品。2013年开始进入中国市场,并推出背面照式的8M的CIS新产品与13M产品,与华为、中兴等国产实力厂商取得了合作。整体来看,这家韩企的产能和规划都还是蛮大的,特别是其有一些淘汰下来的内存的8寸晶圆生产线做后盾,有点财大气粗的味道。据闻其去年国内销售额在8000万美金。

格科微无疑是国产图像传感器制造商的佼佼者,在低像素领域的市占率相当不错,据说号称每月出货量在100KK以上,目前市场占有率在3%左右。

思比科和奇景这两家厂商,目前主要发力低端市场,也属于跟着跑。业界有传闻思比科正谋求在创业板上市,希望通过资本市场带来新的改变。

OV曾凭借其高性价比的产品,受到中国厂商的青睐。不过,随着索尼、三星在高端市场的发力,Hynix、格科微等在低端的蚕食,其优势地位被逐渐式微,这也是其走向衰落的主要原因。

而从这次收购案来看,如果收购成功,对中国半导体技术积累,对上下游产业链均有促进作用。不过,半导体芯片属于比较敏感的高技术产品,即便OV已经同意被收购,但美国监管层面可能会从中阻拦,该交易可能会面临更加严格的审查。

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文章评论1条评论)

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用户1454308 2015-5-7 10:10

Good

用户1478727 2010-3-2 12:47

给初学者是不错的教程呢

用户1524219 2010-3-1 14:29

呵呵 谢谢

用户1146054 2010-3-1 10:28

看工作在什么状态

yzhu05_597603602 2010-3-1 10:12

如果三极管不饱和,则IC随着Ib变化,这时候通常Vce较大,这个时候三极管的功耗较大,输出的电压可能不符合需要。如果限流电阻小,则在浪涌电压冲击下,Ib的瞬间过大会导致基极损坏,需要限制Ib的大小

用户1473175 2010-3-1 09:06

请教楼主: 1.设计顺序是这样的吗? 首先根据负载确定Ic,然后根据三极管的beta值确定Ib,保证Ib*beta〉Ic使管子进入饱和区,最后确定基极限流电阻。 2. “通过这个比例可得到三极管的状态,如果在线性区,则三极管的管压降Vce是变化的” 为什么是变化的呢,在线性区vce〉1V,但也是一个定值吧,可能导致后面输出电压不够高。 3.“如果限流太小,则在高频脉冲浪涌冲击下会失效。”是电流小抗干扰能力弱引起实效的吗?
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