原创 存储器加速模块

存储器加速模块产生的原因：LPC2114/2124/2210/2212/2214微控制器的ARM内核工作在最高频率60MHz时，执行一条指令约为17ns。而Flash存储器的访问周期需要50ns，即最高频率20MHz。所以如果将代码存放在Flash中，将影响ARM内核发挥最大效能。为了能将指令从内部Flash存储器更高效快速地提取到ARM内核，而设计产生了一个存储器加速模块（MAM）。

使能MAM模块后，ARM内核将通过MAM模块访问Flash存储器。MAM模块中的数据总线宽度为128位，所以一次读取操作可以读出4条ARM指令或8条Thumb指令。

MAM包括一个128位的预取指缓冲器，一个128位的分支跟踪缓冲器和一个数据缓冲器。预取指缓存区保存有将要执行的指令。而分支跟踪缓存区保存有程序跳转后可能执行到的指令。当程序向前跳转时，尝试从预取指缓存区取指，当程序向后跳转时，尝试从分支跟踪缓存区取指。如果程序跳转出缓存的范围，CPU将要停止，等待若干个周期，直到正确的指令从Flash中被读出。Flash中除了存储指令之外，还可用来存储不修改或者很少修改的数据，所以在MAM模块中设计有数据缓冲区。数据缓存区可以提高顺序读取数据的操作速度。但是对随机读取操作几乎没有加速效果。

Flash编程由另一个独立的模块完成，Flash在进行编程操作时禁止访问。在编程操作结束后，缓存区的数据将自动失效，可以避免读取到无效的数据。

用到的两个寄存器。MAMCR，MAMTIM。

使用要点：1、当改变MAM定时值时，必须先将MAMCR设置为0关闭MAM，然后将新值写入MAMTIM。最后将需要的操作模式的对应值（1或2）写入MAMCR，再次打开MAM；2、对于低于20MHz的系统时钟，MAMTIM设定为001，将Flash访问时间设定为1CCLK ；对于20MHz到40MHz之间的系统时钟，建议将Flash访问时间设定为2CCLK；高于40MHz的系统时钟，建议使用3CCLK。
C代码：
MAMCR = 0;
#if Fcclk < 20000000
MAMTIM = 1;
#else
#if Fcclk < 40000000
MAMTIM = 2;
#else
MAMTIM = 3;
#endif
#endif
MAMCR = 2;