原创 4200脉冲IV测量CMOS晶体管的目标应用和测试项目

4200-PIV[1]包涵盖解决最常见参数晶体管测试的测试项目：Vds–id和Vgs-id。这两个测试提供直流和脉冲两个模式，允许两种测试方法之间的相关性，并已配置用于前沿、低功率CMOS器件的测试。

这些测试连同自动校准和电缆补偿的初始化步骤，包括在单4200测试项目，脉冲IV-Complete中。

有另一个脉冲IV测试项目：Demo-PulseIV。这个演示项目是IV-Complete的一个子集，目的是用使打包的演示DUT来说明脉冲IV的能力。

4200脉冲IV能力的概述：

• -5至+5 V的脉冲门极电压，以零为参考
• 脉冲宽度40-150ns（由于4200-RBT），以10 ns增量进行调节
• 40us及以上的周期（由于4200-RBT），以10 ns增量进行调节。最大占空比为0.1％。
• 脉冲瞬态编程至10ns，导致13 ns的瞬态时间
• SMU提供漏极上直流电压偏置，- 210V至210 V
• 漏极电流脉冲测量，最高可达100mA，由8位示波器卡提供5 uA的分辨率（可以通过平均多个脉冲得到更高的分辨率）
• Vds- Id和Vgs-Id扫描
• 单脉冲“scope” shot用来设置验证和瞬态测试

需要注意的是，上述清单是完整的4200-PIV包所特有的操作。独立的部件，如4200-PG2和4200-SCP2[2]，可能有不同的功能。例如，4200- PG2[3]可以编程输出10ns的脉宽，但此脉冲不足以进行脉冲IV的测量，因此没有放置于提供的PIV设置中。

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