原创 盛美半导体发布首台应用于化合物半导体制造中晶圆级封装和电镀应用的电镀设备

盛美半导体设备今日发布了新产品——Ultra ECP GIII电镀设备，以支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。

2021年8月26日 上海 —— 作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备今日发布了新产品——Ultra ECP GIII电镀设备，以支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。Ultra ECP GIII还配备了全自动平台，支持6英寸平边和V型槽晶圆的批量工艺，同时结合了盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术，可实现最佳性能。

盛美半导体设备董事长王晖表示:

“随着电动汽车、5G通信、RF和AI应用的强劲需求，化合物半导体市场正在蓬勃发展。一直以来，化合物半导体制造工艺的自动化水平有限，并且受到产量的限制。此外，大多数电镀工艺均采用均匀性较差的垂直式电镀设备进行。盛美新研发的Ultra ECP GIII水平式电镀设备克服了这两个困难，以满足化合物半导体不断提升的产量和先进性能需求。”

盛美的Ultra ECP GIII设备通过两项技术来实现性能优势：盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术。第二阳极技术可通过有效调整晶圆级电镀性能，克服电场分布差异造成的问题，以实现卓越的均匀性控制。它可以应用于优化晶圆边缘区域图形和V型槽区域，并实现3%以内的电镀均匀性。

盛美的高速栅板技术可达到更强的搅拌效果，以强化传质，从而显著改善深孔工艺中的台阶覆盖率，同时提升的步骤覆盖率可降低金薄膜厚度，从而为客户节约成本。

盛美半导体的Ultra ECP GIII已取得来自中国化合物半导体制造商的两个订单。第一台订单设备采用第二阳极技术的铜-镍-锡-镀银模块，且集成真空预湿腔体和后道清洗腔体，应用于晶圆级封装，已于上月交付。第二台订单设备适用于镀金系统，将于今年下一季度交付客户端。

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