原创 先进封装基本术语

FOWLP技术是针对晶圆级封装(WLP)的改进，可以为硅芯片提供更多外部连接。它将芯片嵌入环氧树脂成型材料中，然后在晶圆表面建构高密度重分布层(RDL)并施加焊锡球，形成重构晶圆(reconstituted wafer)。

它通常先将经过处理的晶圆切成单颗裸晶，然后将裸晶分散放置在载体结构(carrier structure)上，并填充间隙以形成重构晶圆。FOWLP在封装和应用电路板之间提供了大量连接，而且由于基板比裸晶要大，裸晶的间距实际上更宽松。

将分开制造的不同组件整合到更高级别的组件中，可以增强功能并改进工作特性，因此半导体组件制造商能够将采用不同工艺流程的功能组件组合到一个组件中。

异质整合类似于系统级封装(SiP)，但它并不是将多颗裸晶整合在单个基板上，而是将多个IP以Chiplet的形式整合在单个基板上。异质整合的基本思想是将多个具有不同功能的组件组合在同一个封装中。

HBM是一种标准化的堆栈储存技术，可为堆栈内部，以及内存与逻辑组件之间的数据提供高带宽信道。HBM封装将内存裸晶堆栈起来，并透过TSV将它们连接在一起，从而创建更多的I/O和带宽。

HBM是一种JEDEC标准，它在封装内垂直整合了多层DRAM组件，封装内还有应用处理器、GPU和SoC。HBM主要以2.5D封装的形式实现，用于高端服务器和网络芯片。现在发布的HBM2版本解决了初始HBM版本中的容量和时钟速率限制问题。

中介层是封装中多芯片裸晶或电路板传递电信号的管道，是插口或接头之间的电接口，可以将信号传播更远，也可以连接到板子上的其他插口。

中介层可以由硅和有机材料制成，充当多颗裸晶和电路板之间的桥梁。硅中介层是一种经过验证的技术，具有较高的细间距I/O密度和TSV形成能力，在2.5D和3D IC芯片封装中扮演着关键角色。

重分布层包含铜连接线或走线，用于实现封装各个部分之间的电气连接。它是金属或高分子介电材料层，裸晶可以堆栈在封装中，从而缩小大芯片组的I/O间距。重分布层已成为2.5D和3D封装解决方案中不可或缺的一部分，使其上的芯片可以利用中介层相互进行通讯。

TSV是2.5D和3D封装解决方案的关键实现技术，是在晶圆中填充铜，提供贯通硅晶圆裸晶的垂直互连。它贯穿整个芯片以提供电气连接，形成从芯片一侧到另一侧的最短路径。

从晶圆的正面将通孔或孔洞蚀刻到一定深度，然后将其绝缘，并沉积导电材料(通常为铜)进行填充。芯片制造完成后，从晶圆的背面将其减薄，以暴露通孔和沉积在晶圆背面的金属，从而完成TSV互连。