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三菱电机【论文】优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
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基础知识
时间:2020-09-21
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三菱电机【论文】优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
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三菱电机第27讲:MOSFET的基本结构与工作原理
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三菱电机第29讲:IGBT的基本结构
三菱电机第30讲:IGBT的基本开关原理
三菱电机第31讲:HVIGBT的概述
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2021-06-13
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心灵家园
2021-03-03
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