• 三菱电机 SiC MOSFET仿真技术
• 三菱电机 新型器件嵌入式集成技术
• 三菱电机_超小只的GaN功率放大器在5G基站
• 三菱电机【论文】LV100封装HVIGBT在并联应用中的表现
• 三菱电机【论文】SiC MOSFET SPICE模型的对比研究
• 三菱电机【论文】SLIMDIP系列智能功率模块在变频洗衣机应用介绍
• 三菱电机【论文】高压IGBT模块抗潮湿和凝露的鲁棒性设计
• 三菱电机【论文】高压IGBT模块在湿度影响下的寿命预估模型研究
• 三菱电机【论文】集成RC-IGBT、自举二极管及限流电阻的全新压注模表面贴装型IPM
• 三菱电机【论文】集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
• 三菱电机【论文】利用零温度系数导通电压对导线键合IGBT功率模块在线状况监测
• 三菱电机【论文】提高中压变频器鲁棒性和可靠性的X系列RFC二极管
• 三菱电机【论文】通过门极驱动器电压敏感参数实现功率模块通态电压的估计
• 三菱电机【论文】新一代大功率IGBT模块
• 三菱电机【论文】一种可提供系统最佳整体性能的先进硅基IGBT芯片
• 三菱电机【论文】优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
• 三菱电机【论文】针对大功率应用的高性能第2代1700V 4H-SiC MOSFET
• 三菱电机【论文】针对广泛应用领域的SiC功率模块
• 三菱电机第1讲：功率半导体器件的基本功能和用途
• 三菱电机第2讲：功率半导体器件的基本分类和应用
• 三菱电机第3讲：半导体•导体•绝缘体
• 三菱电机第4讲：半导体材料的禁带宽度
• 三菱电机第5讲：半导体中的晶体结构
• 三菱电机第6讲：半导体中的电子与空穴
• 三菱电机第7讲：从本征半导体到杂质半导体
• 三菱电机第8讲：半导体中的载流子运动
• 三菱电机第9讲：PN结的基本结构及形成方法
• 三菱电机第10讲：平衡条件下的PN结
• 三菱电机第11讲：偏置条件下的PN结
• 三菱电机第12讲：PN结的击穿与穿通
• 三菱电机第13讲：PN结的电容效应
• 三菱电机第14讲：PN结器件的电路特性
• 三菱电机第15讲：PIN二极管基本结构和正偏置行为
• 三菱电机第16讲：PIN二极管的恢复特性.
• 三菱电机第17讲：双极晶体管的基本结构
• 三菱电机第18讲：双极晶体管的工作原理
• 三菱电机第19讲：晶闸管的基本结构
• 三菱电机第20讲：晶闸管的基本工作原理
• 三菱电机第21讲：GTO的基本结构和基本工作原理
• 三菱电机第22讲：谈谈肖特基势垒（Schottky Barrier）
• 三菱电机第23讲：肖特基二极管的基本结构与工作原理
• 三菱电机第24讲：结型场效应晶体管
• 三菱电机第25讲：结型场效应晶体管的基本工作原理
• 三菱电机第26讲：MOS结构
• 三菱电机第27讲：MOSFET的基本结构与工作原理
• 三菱电机第28讲：功率MOSFET
• 三菱电机第29讲：IGBT的基本结构
• 三菱电机第30讲：IGBT的基本开关原理
• 三菱电机第31讲：HVIGBT的概述