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AOD603A VBsemi MOSFET Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2023-09-08
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阅读数:89
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资料介绍
AOD603A(VBE5638)是一款N+P沟道MOS型晶体管,采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力,以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)在10V时为38mΩ(N沟道)和58mΩ(P沟道),在4.5V时为45mΩ(N沟道)和70mΩ(P沟道)。其门源阈值电压为±1~3V,工作电压范围为20Vgs(±V)。

该产品适用于多个应用领域。其中,一个应用领域是电源开关模块,该模块需要具备高耐压和高电流承载能力。另一个应用领域是电机驱动模块,该模块需要具备低导通电阻和高效率的特性。此外,该产品还可以应用于电池充放电管理模块和电源逆变器等领域。

总之,AOD603A(VBE5638)适用于电源开关、电机驱动、电池充放电管理和电源逆变器等多个应用领域中需要高耐压、高电流承载和低导通电阻的模块。
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