1. 了解PN结的形成原理，掌握PN结、二极管的特性（单向导电、电流方程、特性曲线、温度特性、电容特性、击穿特性等）以及直流电阻与交流电阻的概念，稳压管的稳压原理。 2. 掌握BJT的结构、工作原理、各极电流关系、四种工作状态、三种组态、CE接法的特性曲线及主要参数。特别注意基区宽度调制效应及温度特性；会判断BJT工作在哪个区。 3. 掌握MOS管的结构、特点、工作原理、特性曲线。注意： （1）N沟道、P沟道，增强型、耗尽型MOS管的特性曲线不同，偏压极性也不同(习题1.5.1 )。 （2）沟道长度调制效应和衬底调制效应的影响。 （3）饱和区电流表达式。 4. 了解JFET的结构、工作原理、特性曲线。 注意JFET是耗尽型器件，但栅压为单极性。 5. 了解集成元器件的主要特点。 6. 了解模型的基本概念及BJT的EM1、EM2 模型的形式、电流方程。 **************************************(6)*********************************** ** 1.5.1.3 P沟道MOS管 1. 结构及电路符号 (结构： (符号： (电流方向: (偏压极性: 2. 特性曲线 （1）P沟道增强型MOS管特性曲线 (正方向规定 （2）P沟道耗尽型MOS管特性曲线？ 3. P沟道MOS管的特性 ((p((n (占用面积大，结电容大，速度低 1.5.1.4 关于MOS管的几个问题 1. MOS管的低频跨导gm (定义: gm = diD/d(GS (DS =常数 (意义： (表达式：iD =kP/2(W/L ((GS－VGS(th))2(1+((DS ) gm = kP(W/L (VGSQ－VGS(th))(1+(VDSQ ) = 2IDQ /(VGSQ－VGS(th)) = ( 2 kP(W/L ( 1 + (VDSQ ) IDQ (利用特性曲线求gm 2. MOS管D、S极互换的问题 3. 关于MOS管的参数 (VGS(th)与VGS(off) (IDSS (极限参数 ① IDM ② PDM ③ V(BR)DS ,V(BR)GS 4. 关于B极的影响 （1）接法的原则 衬底与沟道PN结零偏或反偏 （2） 衬底电位(B((BS )对导电性能的影响 以N沟道M……