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《模拟电子技术基础》第1章05
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资料介绍
1. 了解PN结的形成原理,掌握PN结、二极管的特性(单向导电、电流方程、特性曲线、温度特性、电容特性、击穿特性等)以及直流电阻与交流电阻的概念,稳压管的稳压原理。 2. 掌握BJT的结构、工作原理、各极电流关系、四种工作状态、三种组态、CE接法的特性曲线及主要参数。特别注意基区宽度调制效应及温度特性;会判断BJT工作在哪个区。 3. 掌握MOS管的结构、特点、工作原理、特性曲线。注意: (1)N沟道、P沟道,增强型、耗尽型MOS管的特性曲线不同,偏压极性也不同(习题1.5.1 )。 (2)沟道长度调制效应和衬底调制效应的影响。 (3)饱和区电流表达式。 4. 了解JFET的结构、工作原理、特性曲线。 注意JFET是耗尽型器件,但栅压为单极性。 5. 了解集成元器件的主要特点。 6. 了解模型的基本概念及BJT的EM1、EM2 模型的形式、电流方程。 ***********************************(5) ************************************* 1.5 场效应晶体管(FET) 概述 1. 电极 2. 特点 3. 类型 1.5.1绝缘栅MOS场效应管 1.5.1.1 N沟道增强型MOS FET 1. 结构与电路符号 2. 工作原理 ( 原理电路 ( 偏压vGS ( 0 ,vDS (0 (1)vGS对iD的控制作用 ( vGS= 0 ( 0 ( vGS (VGS(th) ( vGS =VGS(th) ( vGS控制沟道电阻,控制iD (转移特性f (vGS) (2)(DS对iD的控制作用 ( vGS (VGS(th)且不变(开启) ((DS = 0: (0( vDS ((GS -VGS(th): ( vDS =(GS-VGS(th):“预夹断” ( vDS ((GS-VGS(th) : (击穿现象 3. N沟道增强型MOS管的特性曲线 (1)输出特性 (定义: iD =f((DS)((GS=常数 (输出特性曲线 (预夹断线方程 (DS =(GS-VGS(th) 或(GD = VGS(th) ( 截止区 (条件:(GS ( VGS(th) (特点:iD ( 0(无沟道) ( 可变电阻区 (条件: (GS……
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