国外集成电路命名方法 国外集成电路命名方法 |国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法 | | | |缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美） | 器件型号举例说明  |AM |29L509|P |C |B | | |ANA首标 |器件 |附加说明 |温度范围 |封装形式 |筛选水 | | | | | | |平 | |AD：模拟|编号 |A：第二代产品|I、J、K、L |D：陶瓷或金属 |MIL-STD| |器件 | |； |、M： |气 |- | |HA：混合|  |DI：介质隔离 |（0-70）℃；|密双列封装 |883B级 | | | |产 | | |。 | |A/D； |  |品； |A、B、C： |（多层陶瓷）；|  | |HD：混合|  |Z：工作在+12V|（-25-85）℃|E：芯片载体； |  | | | | |； | | | |D/A。 ……