一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计设计与开发 一种新型 ９ ０ ０ Ｍ Ｈ ｚ 　 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 低噪声放大器的设计 危长明，陈迪平，王镇道，陈永洁 （湖南大学应用物理系，湖南　长沙　　４１００８２） 摘要： 对 两 种 低 噪 声 放 大 器 （ ＬＮＡ ） 的 构 架 进 行 了 比 较 ， 详 细 推 导 了 共 源 ＬＮＡ 的 噪 声 系 数 与 输 入 晶 体 管 栅 宽 的 关 系 及 优 化 方 法 ，设 计 了 一 种 采 用 ０．６ μ ｍ 标 准 ＣＭＯＳ 工 艺 ，工 作 于 ９００ＭＨｚ 的 新 型 差 分 低 噪 声 放 大 器 。 在 ９００ＭＨｚ 时 ， 噪 声 系 数 为 １．５　ｄＢ 的 情 况 下 可 提 供 ２２．５　ｄＢ 的 功 率 增 益 ， － ３ ｄ Ｂ 带 宽 为 １ ５ ０ Ｍ Ｈ ｚ ， 　 Ｓ１１ 达 到 － ３ ８ ｄ Ｂ ， 消 耗 的 电 流 为 ５ ｍ Ａ 。 关键词： 低 噪 声 放 大 器 ； 噪 声 优 化； 射 频 集 成 电 路 ；Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 中图分类号 ： ＴＮ７２２．３　　　　　 文献标识码 ： Ａ　　　　　 文章编号 ： １００３－３５３Ｘ（２００４）０１－００６３－０５ Ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ａ　ｎｅｗ　９００ＭＨｚ　ＣＭＯＳ　ｌｏｗ　ｎｏｉｓｅ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒ ＷＥＩ　Ｃｈａｎｇ－ｍｉｎｇ，　ＣＨＥＮ　Ｄｉ－ｐｉｎｇ，　ＷＡＮＧ　Ｚｈｅｎ－ｄａｏ， ＣＨＥＮ　Ｙｏｎｇ－ｊｉｅ （ Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｈｕｎａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　，　Ｃｈａｎｇｓｈａ　４１００８２，　Ｃｈｉｎａ） Ａ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ： 　Ａ　ｎｅｗ　９００ＭＨｚ　ＣＭＯＳ　ｌｏｗ　ｎｏｉｓｅ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒ　（ＬＮＡ）　ｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄ　ｗｉｔｈ　０．６ ｍ　ｓｔａｎｄａｒｄ ＣＭＯＳ　ｔｅｃｈ……