MOSFET器件性能及选用的3个原则 MOSFET器件性能及选用的3个原则 MOSFET器件性能 | | | | | | | | | | | |IR第三 |MTW20N50E|IR新一代 |FQL |2SK |FQA24N50F| |参数 |名称 |代 |(TYP) |IRFP460LC|40N50 |2370 |(TYP) | | | |IRFP460| | | | | | |[pic](V) | | | | | | | | | |漏—源击穿 |500 |500 |500 |500 |500 |500 | | |电压 | | | | | | | |[pic](V) | | | | | | | | | |栅源门限电| |2.0~3.0 | |3.0~5.0 |2.5~3.5| | | |压 | | ……