电子电路实例教程本章重点内容 z PN结及其单向导电特性 z 半导体二极管的伏安特性曲线 z 二极管在实际中的应用 第1章 半导体二极管及其应用电路 1.1 PN结 价电子 ＋4 ＋4 ＋4 1.1.1 本征半导体 ＋4 ＋4 ＋4 共价键的两 个价电子 自由电子 ＋4 c b ＋4 ＋4 a ＋4 空穴 （a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 1.1.2 杂质半导体 1．N型半导体 2．P型半导体 ＋4 ＋4 ＋4 自由电子 ＋4 ＋5 ＋4 磷原子 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 图1.2 N型半导体的结构 空穴 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 磷原子 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 图1.3 3. PN结的形成 P区 N区 P型半导体的结构 P区 空间电荷区 N区 内电场 图1.4 PN结的形成 4． PN结的单向导电特性 (1) PN结的正向导通特性 P 空穴 (多数) 电子 (多数) R IR 内电场 外电场 IR≈0 内电场 外电场 变薄 N P 电子 (少数) 空穴 (少数) R 变 厚 N (a) 正向偏置 图1.5 PN结的导电特性 (2) PN结的反向截止特性 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号 （b）反向偏置 外壳 (阳极) P N (阴极) － ＋ VD (阴极) － 阳极引线 阴极引线 （a） 结构 （b）电路符号 （c）实物外形 图1.6 二极管结构、符号及外形 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 iv/m A 1 5 I -U（ BR） 锗 B ′ 硅 B 30 C ′ R 1 A 00 ′ C A 0.2 0.4 5 - ……