相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz，软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效