在本文的第一部分里，详细介绍了电源完整性的基本概念，以及环路电感、L×(di/dt)和工艺对电源完整性的影响等。这里，将详细介绍电源完整性设计中的最优IR 压降方法，以及片上电感对电源完整性所带来的影响。另外，还将详细介绍像45nm 这类更新的工艺节点上， 电源完整性经常存在的导致器件良率下降的问题，包括呈2 次方或指数式增长的L×(di/dt)噪声，全面电源完整性技术和EDA 工具的严重缺乏，无法清楚地理解芯片电源完整性等等。最后将讨论针对上述这些问题的可能解决方法。