随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect - SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject - HCI）和栅氧化层漏电等问题。为了克服这些挑战，半导体业界不断开发出一系列的先进工艺技术，例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG技术。另外，晶体管也