本文档详细介绍怎样在Altera® MAX® II CPLD 中实现NAND 闪存接口。本设计可以采用Samsung 或者AMD NAND 闪存来实现。 利用 MAX II CPLD 实现 NAND 闪存接口 2007 年 12 月， 1.0 版 应用笔记 500 引言 本文档详细介绍怎样在 Altera MAX II CPLD 中实现 NAND 闪存接 口。本设计可以采用 Samsung 或者 AMD NAND 闪存来实现。 闪存 闪存是非易失半导体存储器，可以编程并能够重新编程。它将信息存储在 单元阵列中，每个单元存储一个比特的信息。单元采用了双逻辑门结构， 控制逻辑门和 MOSFET 硅基底之间是浮动逻辑门。采用了二氧化硅绝缘 体来隔离浮动逻辑门。这就是闪存的基本存储机制。 NOR 闪存和 NAND 闪存是两种类型的闪存。 NOR 闪存支持随机访问， 而 NAND 闪存是顺序访问器件。这两类闪存的接口有很大不同。 NOR 闪存采用了专用地址线和数据线，而 NAND 闪存没有专用地址线。 ……