单片机的扩展RAM读写时序单片机的扩展 RAM 读写时序（示波器图） 作者：shisifeiya 吴厚航同学在他的一篇博文提到了其测得单片机 （11.0592MHz 的 STC89C52） 的扩展 RAM 读写时序如下图： 使用了如下程序： #include #define uchar unsigned char #define uint unsigned int uchar xdata LD _at_ 0x7fff; void delay(uint cnt) { uint i; for(i=0;i } void main(void) { uchar i; delay(1000); while(1) {LD = 0x00; LD = 0xf0; LD = 0x73; // i = LD; delay(1000); LD = 0xff; delay(1000); } } 他还总结了： “第一次 LD 读操作需要 5 个指令周期外（1.085us*5），以后每次 LD 读操 作都只要 3 个指令周期（1.085*3） 。这也是从汇编的代码里仿真后得出来的结论。而从上图 也可以知道 CS……