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FDN306P-NL VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
FDN306P-NL是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57m
FDN306PNL
VBsemi
mosfet
datasheet
FDD4141 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:256KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
FDD4141是一款P沟道MOS型的功率开关器件,其丝印型号为VBE2412,封装为TO252。该产品具备以下参数:最大承受电压为-40V,最大电流为-65A,导通阻抗在10V电压下为10mΩ,在4.
FDD4141
VBsemi
mosfet
datasheet
FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管,其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管,具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V,最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻(RD
FDC5614P
VBsemi
mosfet
datasheet
DMP2215L-7 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
DMP2215L-7是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57m
DMP2215L7
VBsemi
mosfet
datasheet
APM4015PUC-TRL VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:253.78KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
APM4015PUC-TRL是一款P沟道MOS型的功率开关器件,其丝印型号为VBE2412,封装为TO252。该产品具备以下参数:最大承受电压为-40V,最大电流为-65A,导通阻抗在10V电压下为1
APM4015PUCTRL
VBsemi
mosfet
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APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管,丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品,适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V,可承受-5.6A的电流,具有低导通电阻,
APM2305AC
VBsemi
mosfet
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AP2625GY VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了AP2625GY型号的MOS管,其丝印型号为VB4290。这款MOS管是双P沟道晶体管,具有优异的性能参数。最大工作电压为-20V,最大工作电流为-4A。导通状态下的导通电阻(RDS
AP2625GY
VBsemi
mosfet
datasheet
AP2310GN VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及20Vgs(
AP2310GN
VBsemi
mosfet
datasheet
AP2306AGN VBssemi Datasheet
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大小:223.54KB
时间:2023.10.09
上传者:VBsemi
VBsemi推出了MOSFET型号AP2306AGN,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS
AP2306AGN
VBssemi
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AP2301N VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57mΩ(在
AP2301N
VBsemi
mosfet
datasheet
AOD4185 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:257.46KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AOD4185是一款P沟道MOS型的功率开关器件,其丝印型号为VBE2412,封装为TO252。该产品具备以下参数:最大承受电压为-40V,最大电流为-65A,导通阻抗在10V电压下为10mΩ,在4.
AOD4185
VBsemi
mosfet
datasheet
AOD603A VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:548.93KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AOD603A(VBE5638)是一款N+P沟道MOS型晶体管,采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力,以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)
AOD603A
VBsemi
mosfet
datasheet
AOD482 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AOD482是由VBsemi品牌推出的一款MOS管产品,丝印型号为VBE1104N。该产品属于N沟道类型,可承受最高100V的电压和40A的电流。其RDS(ON)参数为30mΩ(在10V工作电压下)和
AOD482
VBsemi
mosfet
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AOD403 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了丝印型号为VBE2309的MOS管型号AOD403。这款MOS管属于P沟道类型,适用于广泛的电路应用。它具有出色的性能参数,包括最大承受电压为-30V,最大工作电流为-60A。在标准
AOD403
VBsemi
mosfet
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AO6800 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:255.2KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了AO6800型号的MOS管,其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管,具备出色的性能参数。最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻(RDS(ON))
AO6800
VBsemi
mosfet
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AO4421 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:254.53KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AO4421(VBA2658)是VBsemi一种P沟道MOS型晶体管,封装为SOP8。它的产品参数包括:最大耐压为-60V,最大漏极电流为-6A,漏源电阻RDS(ON)为50mΩ(在10V时)和61m
AO4421
VBsemi
mosfet
datasheet
AO3415A VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:238.42KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AO3415A是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57mΩ(在
AO3415A
VBsemi
mosfet
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