器件噪声的影响在纳米级 CMOS 工艺中极为关键，因为它在根本上制约了许多 45 nm 及以下工艺电路的性能。使用正确的工具，器件噪声分析 (DNA) 将是一个相当简单的过程，并且仿真结果与硅片测量结果只有 1 - 2 dB 的误差。但有几种常见的错误可能导致严重高估或低估器件噪声的影响，进而造成严重的过度设计和设计不足。
器件噪声的影响在纳米级 CMOS 工艺中极为关键，因为它在根本上制约了许多 45 nm 及以下工艺电路的性能。使用正确的工具，器件噪声分析 (DNA) 将是一个相当简单的过程，并且仿真结果与硅片测量结果只有 1 - 2 dB 的误差。但有几种常见的错误可能导致严重高估或低估器件噪声的影响，进而造成严重的过度设计和设计不足。
