原创 High-Speed Digital Design--第二章解读（后半部分）

这个札记作的有点繁琐了，不过写下来终归是好的，多少加深点印象。

2.2.6.7  电流源输出功耗：里面举了一个databus的例子，没怎么看明白，数据线上的data向两边传播，可能会损坏前后的数据，但为什么OC都就不行，电流源可以，不理解。

2.3  速度：一个公式，比较重要：dI/dt（resistor）=dV（t）/（dt R），dI/dt（capcitor）=second derivative of V(t) versus t 乘上电容值C，可见电容较电阻影响大；

2.3.3 bottom line-voltage margins。要知道Voh，Vol，Vih，Vil的基本涵义，一般来说，低温时voltage margin较差；ECL比TTL系列的margin好；

2.4  封装方面的问题：lead inductance，lead capcitance，heat dissipation

     Ground bounce地弹产生的原理，地弹造成double clocking，DIP〈SMT，separate Ground reference pin；要预测地弹的大小，需要知道几个参数：switching time+load capcitance or resistance+lead inductance+switching voltage。

   Lead inductance很大程度上取决于封装的方法，采用wire bond 或 TAB或Flip-Chip的方法可以减小Lead inductance。TAB可能存在的问题时无论chip bonding pattern还是pcb设计变更，都要改变flex circuit；Flip-chip则存在chip和PCB热膨胀系统不同的问题，cooling也是问题之一。

  降低地弹的方法：增大switching时间，ground spaced evenly around the die，separate reference ground pin，diferential inputs。

  Lead capacitance，Crosstalk=Cm/C1。

2.4.3 热传递系数--Phi（JC）—Phi（CA），一个公式Tjunction=Tambient+Phi（JA）P；

  ft/min=feet/minute经常被用来描述heat sink的功能，400ft/min是很大的值。