原创 旺宏存储器涵盖全系列规格，在汽车电子有很大提升空间

日前，在国际集成电路研讨会暨展览会（IIC-China 2014）上，旺宏（香港）有限公司总经理谢浩纬（图1）于汽车电子论坛发表了演讲。他指出，在非易失性存储器（NVM）技术中，浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限，这就需要新的技术来替代。旺宏目前在研发的用于未来NVM的技术有三种：垂直栅极（VG） 3D NAND、PCM（相变存储器）和ReRAM（可变电阻式存储器）。

图1：旺宏（香港）有限公司总经理谢浩纬。

据介绍，旺宏电子是一家领先的NVM解决方案供应商。该公司于19***在台湾新竹成立，迄今已有25年时间；目前共有5531项专利，4693名员工（19%为研发设计人员），去年营收为7.4亿美元。旺宏主要NVM产品包括ROM、NOR闪存和NAND闪存三大类。

去 年，该公司NOR闪存的市占率达到了15.1%（今年可达18%），串行NOR闪存为29.4%，传统的ROM产品（主要应用在游戏机上）为90%。去年 的出货量达16.8亿，主要的增长来自智能手机和汽车电子。消费类电子仍是旺宏的重头市场领域，汽车电子和工业电子还有很大的提升空间。

目前，旺宏主要是和领先的芯片组提供商和系统提供商在做紧密合作，这样可以在前期了解到最新规范的制定，从而将其设计到产品中间。

2009 年，旺宏CEO兼董事长吴敏求在公司内部提出要向汽车电子领域拓展，希望将最好品质的产品提供给汽车方面的客户。旺宏于2004年通过了TS16949规 范，同时也是AEC的成员。目前其产品都是符合AEC-Q100规格的产品，并且力求做到零缺陷率。旺宏在全球多个国家和地区都有设点，这对于解决汽车电 子问题非常有益。另外，旺宏汽车电子芯片组在导航、DAB模块、音频及高清射频、仪表盘、ADAS、信息娱乐、后视摄像头等方面都得到了认证（图2）。

图2：旺宏汽车电子芯片组认证。

在路线图方面，旺宏NOR闪存目前的工艺为55nm，并将在2017年转移到42nm；在2017年，SLC NAND闪存的工艺也将由目前的36nm转变到2xnm。

谢 总告诉笔者，旺宏全系列闪存产品的电压规格涵盖5V、3.3V、2.5V和1.8V；串行NOR闪存容量从1Mb到1Gb（电压规格为3.3V、 1.8V），并行NOR闪存的容量从8Mb到1Gb（今后也将有2Gb~8Gb的产品，电压主要为3.3V），NAND的容量范围则为 512Mb~8Gb（图3）。另外，产品的温度范围可达-40℃~125℃。

图3：旺宏并行和串行闪存系列，提供USON、WLCSP等极小封装，并可提供裸晶KGD与芯片组搭配。

在 半导体技术中，浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限，目前业界在研发的替代性技术主要有电荷捕获型（Charge Trapping）存储器、相变存储器（PCM）和ReRAM（可变电阻式存储器）三种。旺宏在三种技术上都有研发，该公司垂直栅极（VG） 3D NAND技术被称为BE-SONOS（带隙加工硅氧氮氧硅），目前已有研发出512Mb MLC规格的产品，并且在三年之内有望量产。ReRAM技术，其好处是速度快、功耗低，适合于物联网/可穿戴应用。PCM技术，它可以实现非常小的PCM 单元，具有低延迟、高耐受特性。

与消费类电子不同，汽车电子对可靠性要求很高，旺宏会对用于汽车电子用存储器的多道生产工艺 进行严格控制，确保为汽车电子提供最好的产品。同时，在客户产品出现问题时，为客户提供最快速的服务也非常重要。另外，旺宏开发的用于工程数据分析的 sNOVA智能系统，可以在产品出问题的时候快速排查出问题所在。

最后，谢总补充说，旺宏有自己的工厂，可以做产品的演进， 并保证长期的供货。同时，在可靠性测试方面，由于有自己的工厂，旺宏不像其他设计公司那样通过代工厂来做，而是自己做测试。旺宏最早的客户主要在日本，在 尼康和佳能单反相机中，该公司产品的市占率大约在一半左右。因此，在品质的保证上，旺宏非常有信心。