原创 LDO之噪声

[8] 噪声

(1) 识别噪声

理想的 LDO 将生成没有交流元件的电压轨。可惜的是，LDO 本身也会向其他电子器件一样产生噪声。

从不同曲线中可以看到，输出噪声（以每平方根赫兹的微伏数表示 [μV/Hz]）集中在频谱的低频端。此噪声主要来自内部基准电压，但也有一部分来自误差放大器、场效应晶体管 (FET) 和电阻分压器。

(2) 降噪电容器

<1> 降噪电容器CNR/CSS

TI 产品组合中的许多低噪声 LDO 都具有名为“NR/SS”的特殊引脚，如图 3 所示。

此引脚具有双重功能：可用于过滤内部电压基准产生的噪声并能降低 LDO 启动或使能期间的转换率。

在此引脚上添加电容器 (CNR/SS) 将形成具有内部电阻的阻容 (RC) 滤波器，帮助分流由电压基准生成的不需要的噪声。由于电压基准是生成噪声的主要因素，增大电容有助于将此低通滤波器的截止频率左移。图 4 显示了此电容器对输出噪声产生的影响。

CNR/SS 的值越大，降噪效果越好。但是，在某些点上，增大电容不会再降低噪声。

增大 CNR/SS 值也会延长启动时间，从而防止浪涌电流出现尖峰，并且可能会触发电流限制事件。

<2> 前馈电容器CFF

通过使用不同的 CFF 值，可以降低 TPS7A91 的噪声。

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