原创 K9F1G08U0B中文资料部分

K9F1G08U0B中文资料（部分）

128*8Bit NAND Flash存储器

工作电压范围：2.7~3.6V 存储单元：8位

特征描述

组织：存储单元为（128M+4M）*8位，数据寄存器为（2K+64）字节

自动页编程（写操作）和擦除：自动页编程（写操作）为（2K+64）字节，块擦除为（128K+4K）字节

页读操作：页大小为（2K+64）字节，任意读最大时间为25us，串行存取时间最小为：25ns

最快写操作周期：页编程（写操作）时间为200us，块擦除时间为1.5ms

命令/地址/数据I/O端口

概述

K9F1G08U0B的容量为1056Mbit（128M×8bits+64byte×64K×8bits）。K9F1G08U0B的页编程操作（写操作）在（2K+64）字节的也上执行，时间为200us，块擦除操作是在（128K+4K)字节的块上执行，时间为1.5ms。数据寄存器里的数据每字节被读出是用25ns是时间周期。I/O引脚为地址、命令和数据复用引脚。

引脚描述

内部存储单元组织结构如图3所示。

发送地址说明

注释：1、第一和第二周期为列地址，第三和第四周期为行地址

      2、L表示为低电平

产品描述

K9F1G08U0B的存储容量为1056MBit。由65536页（行）和2112列组成。又分为1024块，1块大小为64页（行）。每页大小为2112列（2K+64bytes（字节）），即2048bytes（字节）和附加的64bytes（字节）。附加的64bytes（即为OOB，out of band的缩写）的地址为2048~2111。

读页操作和页编程操作（写操作）都是基于页的，而擦除操作是基于块的。

K9F1G08U0B的8位I/O口为地址、命令和数据复用。这样方便以后升级到大容量。命令、地址和数据在WE和CE位低电平时写入I/O口，在WE下降沿被锁存。命令靠使能CLE来锁存，地址靠使能ALE来锁存。一些命令需要一个总线周期，例如：复位命令、状态读等。一些命令需要两个总线周期，在这两个周期里，第一个来建立，第二个来执行，例如读页、块擦除和页编程。132M字节的物理空间需要28位地址序列，28位地址序列需要4个总线周期发送到I/O端口：前两个发送列地址序列，后两个发送行地址序列。同样，页读和页编程在输入相应的命令之后再输入4个地址序列。而擦除操作只需要两个行地址。下表为K9F1G08U0B的命令

注释：1、任意数据输入/输出可在一页中执行

      2、只有在Copy Back操作时才可读EDC状态

3、任何未定义命令都不可以输入

最初无效块（坏块）描述

坏块有两种：出厂时的坏块（叫最初无效块）和使用过程中出现的坏块。

最初无效块被定义为那些包含1位或多位最初无效位的块。出厂时可能会有坏块，被称为最初无效块，三星公司已标出，三星公司在最初无效块的第一和第二页的地址2048处（OOB区的第一个字节）用非FF标记，在这些坏块（最初无效块）上不得执行擦除和页编程命令。

在使用过程中也会出现坏块，即当我们擦除块或页编程失败时，我们就认为此块为坏块。当出现坏块时，我们要在该块的第一页和第二页的OOB区的第一个字节（地址2048处）用非FF标记。

对于未用块（此块中未存放数据），在擦除一块时我们要先检查一下此块是否是坏块（读该块第一页和第二页的OOB区的第一个字节,若是FF为好块，若是非FF为坏块），好块可以擦除，坏块则不可以擦除。当擦除或页编程失败时，就认为此块为坏块。此时要进行标记。

Nand flash有个特性：存储单元只能从1变为0，而不能从0变为1。所以在进行页编程时要先对此块进行擦除，擦除成功之后，存储单元变为1，之后就可以进行页编程了。对于以用块（此块中以存放数据），我们要先将存放的数据读出，再擦除，成功之后就可以将读出的数据和我们要写如的数据一块写进该块了。若失败标记该块为坏块，用其他未用好块存放我们的数据。

K9F1G08U0B的ID的读

当输入读ID命令后，我们可以连续读出5个字节

第一个字节为ECh，表示制造商号，表示是三星公司生产

第二个字节为F1h，表示机器号，表示是K9F1G08U0B

第三个、第四个和第五个字节分别为00h、95h、40h，其涵义如下

第三个字节涵义

第四个字节涵义

（1）关于“多余区域大小”：用来计算空闲区域的大小，计算公式为：多余区域大小乘以（页大小除以512）

第五个字节涵义

未把全部译完，主要是坏块这一块写出来，供大家阅读，关于读写等操作，大家可以参考一下三星的英文资料。