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2013-5-10 10:13
【博客大赛】重磅翻译2 A-Variation-Tolerant-Sub-200mV-6T-part2
三:本文的设计 为了解决以上讨论中遇到的挑战,我们提供了一种全新的能在低电压下工作的6T单元。存储器的电路图和版图,如图8所示。在不使用传统的差分结构 ...
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2013-5-10 10:10
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摘要: 本文介绍了深亚阈值6T SRAM,采用的是0.13um CMOS工艺制造。我们首先利用了详细的仿真探讨了超低电压下强调应用可变性的存储器设计所面临的挑战。我们 ...
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【博客大赛】我写“专利”几多回
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四:读检测放大器冗余 当然,在三-B中已经说明V_VDD的减小会影响被访问行中所有单元的SNM,即使这些单元没有新的数据写入。然而,在本设计中,采用调节电源 ...
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