针对PF-CSTBT结构中，CS层与P浮层对导通压降与击穿电压的影响有着矛盾关系这一问题，本文通过运用Silvaco TCAD软件的Athena及Atlas，保证CS层中离子注入的掺杂总量一定，采用高斯分布与线性和均匀分布，在击穿电压几乎不变的情况下，其导通压降分别下降15.3%与8%。针对CSTBT结构中，沟槽栅底部倒角处，电场分布集中，易击穿这一问题，本文亦从CS层的载流子浓度大小、P浮层的掺杂峰值浓度位置，P浮层PN结深等方面，降低导通压降，并提高击穿电压。仿真结果表明，在PF-CSTBT结构中，CS层高斯分布是最佳分布形式；增加CS层高斯分布峰值浓度可以有效降低导通压降；P浮层高斯掺杂浓度峰值位置的选择在11μm时，在导通压降不变的情况下，正向击穿电压提高3%。