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单晶半导体材料制备技术
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水平Bridgman法(horizontal Bridgman method ),最早用于Ge单晶。属于正常凝固。 原料(如Ge粉)放入石英舟,石英舟前端植入籽晶(单晶体),推入炉内使原料熔化,籽晶不熔。石英舟内Ge粉完全熔融并与籽晶良好润湿时,缓慢将其向外拉出。使其顺序冷凝成晶锭。
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