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【SiA400EDJ-T1-GE3-VB】N沟道DFN6(2X2)封装MOS管Datasheet
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时间:2023-12-27
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资料介绍
SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管,具有以下参数:

- 最大耐压:30V

- 最大漏极电流:5.8A

- 导通时的电阻(RDS(ON)):22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V

- 栅极电压(Vgs)范围:±20V

- 阈值电压(Vth):1.2V

- 封装:DFN6 (2X2)



该产品适用于以下领域模块:

- 电源开关:SiA400EDJ-T1-GE3可以用作电源开关模块中的主要器件,用于电源的控制和转换。

- 电机驱动:适用于各种电机驱动模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。

- 电源管理:在电源管理模块中,可用于实现电源开关、电源保护和电源管理等功能。

- LED照明:可以应用于LED照明模块中,实现对LED灯的驱动和亮度控制。



综上所述,SiA400EDJ-T1-GE3适用于电源开关、电机驱动、电源管理和LED照明等领域模块。

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